삼성전자, HKMG 공정 적용 고용량 DDR5 업계 최초 개발

 

안녕하세요. 이노알파 입니다.

 

삼성전자가 업계 최초로 ‘하이케이 메탈 게이트 (High-K Metal Gate·HKMG)’ 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했습니다.

 

DDR5는 차세대 D램 규격으로, 기존의 DDR4 대비 2배 이상의 성능이며, 향후 데이터 전송속도가 7200Mbps로 확대될 계획으로, 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편 정도를 처리할 수 있는 속도입니다.

 

삼성전자가 이번에 개발한 고용량 DDR5 모듈은 업계 최고 수준의 고용량ㆍ고성능ㆍ저전력을 구현해 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터센터, 인공지능(AI) 등 첨단산업 발전의 핵심 솔루션 역할을 할 것으로 기대가 되고 있습니다.

삼성전자는 처리해야 할 데이터 양이 기하급수적으로 늘어나는 클라우드 데이터센터, 네트워크, 엣지 컴퓨팅 등에서 차세대 DDR5 메모리의 중요성이 대두되고 있다며, 인텔은 인텔 ‘제온 스케일러블’(Intel® Xeon® Scalable) 프로세서인 ‘사파이어 래피즈’(Sapphire Rapids)와 호환되는 DDR5 메모리를 선보이기 위해 삼성전자와 긴밀하게 협력하고 있다고 밝혔습니다.

 

 

이번에 개발된 DDR5 메모리는 메모리 반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 공정에 적용해 고성능과 저전력을 동시에 구현한 것이 특징인데요. HKMG가 적용된 삼성전자 DDR5 메모리 모듈은 기존 공정 대비 전력 소모가 약 13% 감소해 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 응용처에서 최적의 솔루션이 될 것으로 예상됩니다. 또한, 이번 제품에는 범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 실리콘 관통 전극(Through Silicon Via·TSV) 기술이 적용되었습니다.

삼성전자는 고용량 메모리 시장의 확대와 데이터 기반 응용처의 확산에 따라 16Gb(기가비트) 기반으로 8단 TSV 기술을 적용해 DDR5 512GB 모듈을 개발했는데요. 삼성전자는 2014년 세계최초로 범용 D램인 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정을 적용해 64GB에서 256GB까지 고용량 모듈 제품을 서버 시장에 선보인 바 있습니다.

 

삼성전자는 향후 HKMG 공정과 8단 TSV 기술이 적용된 고용량 DDR5 메모리를 차세대 컴퓨팅 시장의 고객 수요에 따라 적기에 상용화할 계획입니다. 

 

이제 DDR5 메모리 시대가 시작될 예정인데요. DDR 메모리가 가져다 줄 변화에 주목할 필요가 있을 것 같습니다.

 

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